閃速存儲器芯片K9F6408系列的典型應用

閃速存儲器芯片K9F6408系列的典型應用

摘要：K9F6408系列是8M×8bit的NAND型閃速存儲器。它以其快速讀寫循環，數據硬件保護，可擦除，I/O口命令/地址/數據線復用和接口便利等特點，正成為大型數據如語音、數字圖像、文件等系統數據的載體。本文給出了K9F640800A與單片機P87C52的硬件連接電路及閃速存儲器操作的軟件應用程序。
　　關鍵詞：flash存儲器；扇區；操作；應用程序
　　
　　1、概述
　　
　　存儲器是計算機外圍產品的重要組成部分，在經歷了ROM,PROM和EPROM和如今已到了閃速存儲器(FlashMemory)的時代。Flash存儲器以其低成本，高可靠性的讀寫，非易失性，可擦寫性和操作簡便而成為一系列程序代碼（應用軟件）和數據（用戶文件）存儲的理想媒體，從而受到到嵌入式系統開發者的歡迎。
　　
　　Flash存儲器的應用范圍極廣，從現代計算機優盤到嵌入式系統中取代的地位，可謂占盡風流。正因為Flash的應用廣泛，了解和掌握Flash的相關操作和管理技術就極為重要。大致說來Flash操作包括：檢錯（對Flash內部壞扇區的檢測）、寫操作（寫入數據）、讀操作（從Flash中讀出數據）、空間管理和擦除操作。在系統中我們選用AT87C52單片機，它有24個I/O口，其中8個作為有特殊功能的I/O口，因此只剩16個I/O口可供一般的輸入/輸出使用。我們選用K9F640800A閃存的主要原因是它能節約I/O口，即它的地址線和數據線可復用。而其他許多閃存的地址線和數據線是分開使用的。因此，本文以SAMSUNG公司的K9F640800A為例，介紹Flash的操作技術。
　　
　　2、K9F640800A芯片的性能特點：
　　
　　·供電電壓：2.7v～3.6v
　　·該芯片容量為66Mbits，由1024塊組成，每塊又由16頁組成，一頁共有（512＋16）×8bit。使用64Mbits,另外還有2Mbits的閑置儲存空間。
　　·寫和讀以頁為單位，而擦除以塊為單位。讀、寫和擦除操作均通過命令完成，非常方便。（參見圖3）
　　·此芯片可擦寫1百萬次，掉電數據不丟失，數據可保存十年。
　　·有8位串行口，且可復用，既可作為地址和數據的輸入/輸出引腳，又可作命令的輸入引腳，根據時序采用分時循環。（見時序圖5）
　　·寫入每頁的時間為200us，平均每寫一個字節約400ns，即約20Mb/s。
　　·該flash的每一個扇區又分為三個區（256字節，256字節和16字節），如果需要對這三個區獨立操作，則通過00h,01h和50h命令分別選中。（參見圖3）
　　·快速的讀寫循環和數據硬件保護。
　　
　　引腳分布、功能及操作命令如圖1所示：
　　
　　
　　
　　3、P87C52與K9F6408U0A的應用電路
　　
　　我們設計了一個系統，所需實現的功能是，由P87C52單片機將接收到的GPS芯片發送的數據，按一定的格式處理后，存儲到Flash芯片上。當上位機發出讀命令時，P87C52再從flash中取出數據，發給上位機。在此，我們給出了K9F6408U0A的flash芯片與P87C52單片機連接圖（圖2)。
　　
　　
　　
　　4、K9F6408U0A的軟件編程
　　
　　K9F6408U0A的軟件編程是采用C語言中嵌入匯編來完成。主要包括：flash扇區檢錯，讀，寫，擦除和管理flash空間。
　　
　　1）檢錯：剛出廠的Flash中可能存在壞扇區，用久的Flash好扇區也可能變壞。為了保證讀寫數據的可靠性，必須對Flash扇區進行檢測。Flash扇區的好壞標志存在于第3區中的第6Column,若扇區已壞，則標志位數據不是FFH。設置一錯誤扇區的表，掃描檢錯flash，將壞扇區的號依次填入表中，將此表保存于flash存儲器中的第一個塊中（因為SAMSUNG確保第一個塊能正確使用）。流程圖(圖四)：
　　
　　
　　
　　2）讀flash：Flash分三個區，命令0X00,0X01和0X50可分別讀取第一，二，三區中的數據。
　　
　　過程為：選中Flash,通過I/O口寫入讀命令字，寫入所讀數據地址，置讀信號有效（下跳沿有效）。
　�。ㄗx寫）時序圖如下：
　　
　　
　　
　　
　　
　　
　　具體程序如下：
　　
　　voidFlashRead()
　　{
　　unsignedchard;
　　Flash_CE=0;file://片選
　　WriteCommand(0x00);file://寫讀的命令
　　WriteAddress(0x00,0);file://寫讀的地址
　　for(d=0;d!=2;d++)file://一次讀兩頁
　　{
　　uintk=528;file://每個扇區有528個字節
　　while(!Flash_RB)//當讀信號無效時，等待
　　{
　　}
　　while(k)file://當k不為0時，就繼讀；否則就停止讀
　　{
　　Flash_RD=0;file://準備好讀入
　　#pragmaasmfile://嵌入匯編，插入2個機器周期
　　NOP
　　NOP
　　#pragmaendasm//結束匯編
　　
　　ACC=P0;file://把P0口讀出的值存入ACC寄存器
　　#pragmaasm//嵌入匯編，插入2個機器周期
　　
　　
　　
　　
　　NOP
　　NOP
　　#pragmaendasm//結束匯編
　　Flash_RD=1;file://不再讀入
　　SendData();file://串口發送數據
　　k--;
　　}
　　}
　　Flash_CE=1;file://不再片選
　　}
　　
　　3）寫flash：和讀操作不一樣的是，寫操作有兩個命令字：0X80和0X10，寫入0X80后，表示將向寄存器中寫入數據，如果再鍵入0X10則Flash中的控制器將寄存器的數據存儲到數據存儲器中。寫操作時，將欲寫入數據的地址與錯誤扇區表相對照，看是否在表中。如果在表中，則將頁指針地址加十六（即換到下一個Block中），再對照，循環操作直到找到不在表中的地址。以此保證所寫的地址都是有效地址。具體過程：選中Flash,通過I/O口寫入寫命令字，寫入所要編程數據地址，置寫信號有效。（寫時序見圖五
　　
　　
　　
　　*unsignedcharAssertBlock(unsignedchara)//與記錄壞塊的表相對照的子程序
　　{
　　unsignedchari=0;
　　while(i!=invalidblockbound+1)//invalidblockbound是無效塊的總數
　　{
　　while(a!=*InvalidBlockAddress++)//當未遍歷到最后一個無效塊時,就繼續核對
　　
　　{
　　i++;
　　}
　　}
　　if(i!=invalidblockbound+2)
　　return1;//無效的塊
　　else
　　return0;//有效的塊
　　}
　　
　　voidWrite(void)//寫操作
　　{
　　unsignedcharh;
　　if(first)//當開始對一頁進行寫操作時，first=1,否則為0
　　{
　　Flash_CE=0;file://片選
　　WriteCommand(0x80);file://寫命令0x80
　　*ucharAssertBlock(startpage/16)file://與記錄壞塊的表相對照
　　WriteAddress(0x00,startpage);file://寫地址
　　first=0;
　　}
　　for(h=0;h!=16;h++)
　　WriteData(output[h]);file://寫入寄存器處理好的GPS數據
　　if(FlagWrite)//當寄存器中數據滿528字節（1頁）時，FlagWrite＝1，否則為0
　　{
　　WriteCommand(0x10);//將數據寫入flash
　　while(!Flash_RB)file://等待讀信號有效
　　{
　　}
　　WriteCommand(0x70);file://讀狀態量
　　Delay10us();
　　Flash_RD=0;file://準備好讀入
　　#pragmaasm//嵌入匯編，插入兩個機器周期
　　nop
　　nop
　　#pragmaendasm//結束匯編
　　ACC=P0;
　　ACC=ACC&0x01;
　　Flash_RD=1;
　　if(ACC!=0)file://若最后一位不為零
　　{
　　*(InvalidBlockAddress+j)=startpage/16;file://存儲無效塊空間的首地址
　　startpage=startpage+16;file://讀下一個塊的第一個扇區看是否是有效的扇區
　　}
　　Flash_CE=1;file://結束片選
　　startpage++;file://寫下一頁
　　first=1;
　　}
　　}
　　4）擦除：以塊為單位進行擦除。前后有兩條擦除命令以保證不會被意外擦除。
　　
　　voidFlashErase(uinta)
　　{
　　unsignedintblockcount;
　　Flash_CE=0;//片選
　　for(blockcount=0;blockcount!=a;blockcount++)//尋找被擦除的塊
　　{
　　WriteCommand(0x60);//塊擦除預命令
　　WriteAddresspag
　　
　　
　　
　　e(16*blockcount);
　　WriteCommand(0xD0);//塊擦除確認命令
　　while(Flash_RB!=1)
　　{
　　}
　　WriteCommand(0x70);//讀擦除狀態命令
　　Delay10us();
　　Flash_RD=0;
　　#pragmaasm//嵌入匯編，插入3個機器周期
　　nop
　　nop
　　nop
　　#pragmaendasm//結束匯編
　　ACC=P0;
　　#pragmaasm//嵌入匯編，插入1個機器周期
　　nop
　　#pragmaendasm//結束匯編
　　Flash_RD=1;
　　ACC=ACC&0x01;
　　if(ACC!=0)//擦除失敗
　　{
　　*InvalidBlockAddress=blockcount;//記錄壞的塊
　　InvalidBlockAddress++;
　　j++;
　　}
　　}
　　Flash_CE=1;//不再片選
　　}
　　5）flash管理：主要包括記錄無效的塊，flash空間檢測以及空間的整理。（在此以flash整理流程圖為例）
　�。�1）開始flash整理程序；（2）掃描整個物理空間，取得已使用的扇區數N；（3）從第i個已使用的扇區讀起，初始化i=1；（4）看扇區的地址是否連續；（5）如果連續就讀下一個扇區，如果讀到最后一個已使用的扇區就結束；（6）如果不是最后一個已使用的扇區，就跳到步驟（3）；（7）如果物理扇區不連續，則取得此扇區所在塊k的地址指針；（8）掃描到空閑塊j并取得其地址指針；（9）將k中所有的已寫扇區移至j中，擦除塊k；（10）擦除有效嗎（11）若無效則將此塊記為無效塊，并進行（12）步；（12）若有效則判斷讀到最后一個扇區了嗎？（13）若沒有跳至步驟（3）；（14）若是最后一個已寫扇區，則結束整理程序。
　　
　　
　　
　　

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